碳化硅肖特基二极管

HyCores SiC 产品谱系实现了 SBD 耐压 650V 到 1700V，电流 2A 到 70A，1200V MOSFET Rdson 从 280mΩ到 40mΩ 的自主设计与制造。
碳化硅MOSFET

HyCores 提供额定电压为 1200V 的基于 SiC 的功率 MOSFET，具有高性能以服务于绿色能源应用。
模块和定制化产品

HyCores 为希望享受设计优势的客户提供定制的器件与设备解决方案。
联系地址：
上海市闵行区申长路588号虹桥绿谷B栋3A12室
邮政编码：201106
电子邮箱：Sales@hycores.com

企业介绍
招聘信息
应用支持
产品信息
联系我们
650V 二极管
1200V 二极管
650V MOSFET
SiC MOSFET 驱动器
SiC 器件动态测试装置
SiC 功率驱动模块
DC－AC电源
DC－DC转换器
大功率电机驱动器
关于我们
联系我们
CONTACT US

联系地址：上海市闵行区申长路588号虹桥绿谷B栋3A12室
邮政编码：201106

电子邮箱：yiran.shen@hycores.com
联系我们
CONTACT US

联系地址：上海市闵行区申长路588号虹桥绿谷B栋3A12室
邮政编码：201106

电子邮箱：yiran.shen@hycores.com
首页
650V 二极管数据表
1200V MOSFET
1200V 二极管数据表
1200V DIE